PortfoliosLab logoPortfoliosLab logo
Сравнение HNSS.L с VOO
Доходность
Доходность на риск
Просадки
Волатильность
Дивиденды

Доходность

Сравнение доходности HNSS.L и VOO

График ниже показывает гипотетическую доходность инвестиции в £10,000 в HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) и Vanguard S&P 500 ETF (VOO). Значения скорректированы с учетом выплат дивидендов, если таковые имеются.

Загрузка графика...

Разные валюты инструментов

HNSS.L торгуется в GBP, в то время как VOO торгуется в USD. Чтобы показатели можно было сравнивать, все значения VOO были конвертированы в GBP с использованием последнего доступного обменного курса.

Доходность по периодам

С начала года, HNSS.L показывает доходность 84.37%, что значительно выше, чем у VOO с доходностью 9.64%.


HNSS.L

1 день
0.00%
1 месяц
5.02%
С начала года
84.37%
6 месяцев
88.21%
1 год
173.28%
3 года*
54.01%
5 лет*
10 лет*

VOO

1 день
0.64%
1 месяц
-0.86%
С начала года
9.64%
6 месяцев
9.17%
1 год
27.33%
3 года*
18.51%
5 лет*
14.60%
10 лет*
16.09%
*Показатели приведены в среднегодовом выражении (CAGR)

Сравнение доходности по годам HNSS.L и VOO


2026 (YTD)2025202420232022
HNSS.L
HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF
84.37%45.50%19.96%32.89%-25.65%
VOO
Vanguard S&P 500 ETF
9.64%9.43%27.16%20.01%-1.49%

Correlation

The correlation between HNSS.L and VOO is 0.48, which is low. Their price movements are largely independent, making them effective diversification partners.


Корреляция
Корреляция (1 год)
Рассчитано за последние 12 месяцев

0.48

Корреляция (3 года)
Рассчитано за последние 3 года

0.47

Корреляция (за всё время)
Рассчитано по всей доступной истории цен начиная с 25 янв. 2022 г.

0.53

The correlation between HNSS.L and VOO has been stable across timeframes, ranging from 0.47 to 0.53 - a consistent structural relationship.

Сравнение акций, фондов или ETF

Ищите акции, ETF и фонды для быстрого сравнения или перейдите к инструменту сравнения для большего количества опций.


HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF

Vanguard S&P 500 ETF

Доходность на риск

HNSS.L vs. VOO — Ранг доходности на риск

Сравните оценки доходности на риск, чтобы выбрать наиболее эффективную инвестицию за последние 12 месяцев.

HNSS.L
Ранг доходности на риск HNSS.L: 9191
Overall Rank
Ранг коэф-та Шарпа HNSS.L: 9494
Ранг коэф-та Шарпа
Ранг коэф-та Сортино HNSS.L: 9090
Ранг коэф-та Сортино
Ранг коэф-та Омега HNSS.L: 9595
Ранг коэф-та Омега
Ранг коэф-та Кальмара HNSS.L: 9393
Ранг коэф-та Кальмара
Ранг коэф-та Мартина HNSS.L: 8383
Ранг коэф-та Мартина

VOO
Ранг доходности на риск VOO: 7070
Overall Rank
Ранг коэф-та Шарпа VOO: 7171
Ранг коэф-та Шарпа
Ранг коэф-та Сортино VOO: 6969
Ранг коэф-та Сортино
Ранг коэф-та Омега VOO: 7171
Ранг коэф-та Омега
Ранг коэф-та Кальмара VOO: 6363
Ранг коэф-та Кальмара
Ранг коэф-та Мартина VOO: 7676
Ранг коэф-та Мартина
Ранг (0–100) показывает, как доходность соотносится с принятым риском. Чем выше — тем лучше. Рассчитывается за последние 12 месяцев на основе коэффициентов Шарпа, Сортино и других метрик, используемых квантовыми фондами и институциональными инвесторами.

Сравнение HNSS.L c VOO - Риск-скорректированная доходность

В таблице представлено сравнение показателей доходности скорректированной на риск для HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) и Vanguard S&P 500 ETF (VOO). Риск-скорректированные показатели оценивают доходность инвестиций с учетом их рискованности, что позволяет более точно сравнивать различные активы между собой.

Данные рассчитываются на скользящей основе за 1 год и обновляются ежедневно. Показатели доходности на риск более стабильны на длинных периодах — используйте переключатель периода выше, чтобы их посмотреть.


HNSS.LVOODifference
Коэффициент ШарпаДоходность на единицу общей волатильности

+0.88

Коэффициент СортиноДоходность на единицу негативного риска

+0.79

Коэффициент ОмегаВероятность прибыли против убытков

1.64

1.42

+0.22

Коэффициент КальмараДоходность относительно максимальной просадки

5.70

3.45

+2.25

Коэффициент МартинаДоходность относительно средней просадки

14.75

13.03

+1.72

HNSS.L vs. VOO - Сравнение коэффициента Шарпа

Показатель коэффициента Шарпа HNSS.L на текущий момент составляет 3.14, что выше коэффициента Шарпа VOO равного 2.26. На графике ниже представлено сравнение исторических значений коэффициента Шарпа HNSS.L и VOO, позволяя оценить доходность инвестиций в различных рыночных условиях. Значения рассчитаны на основе дневных данных за предыдущие 12 месяцев.


Загрузка графика...

Просадки

Сравнение просадок HNSS.L и VOO

Максимальная просадка HNSS.L за все время составила -41.32%, что больше максимальной просадки VOO в -26.09%. Используйте график ниже для сравнения максимальных просадок HNSS.L и VOO.


Загрузка графика...

Показатели просадок


HNSS.LVOOРазница

Макс. просадка

Максимальное падение от пика до дна

-41.32%

-26.09%

-15.23%

Макс. просадка (1 год)

Максимальное падение за 1 год

-29.74%

-7.66%

-22.08%

Макс. просадка (3 года)

Максимальное падение за 3 года

-36.83%

-21.93%

-14.90%

Макс. просадка (5 лет)

Максимальное падение за 5 лет

-21.93%

Макс. просадка (10 лет)

Максимальное падение за 10 лет

-26.09%

Текущая просадка

Текущее падение от пика

-6.42%

-1.89%

-4.53%

Средняя просадка

Среднее падение от пика до дна

-16.47%

-3.29%

-13.18%

Индекс Язвы

Глубина и продолжительность просадок от предыдущих пиков

11.50%

2.03%

+9.47%

Волатильность

Сравнение волатильности HNSS.L и VOO

HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) имеет более высокую волатильность в 13.65% по сравнению с Vanguard S&P 500 ETF (VOO) с волатильностью 3.95%. Это указывает на то, что HNSS.L испытывает большие колебания цены и, как следствие, считается более рискованной по сравнению с VOO. На приведенном ниже графике показано сравнение их месячной скользящей волатильности.


Загрузка графика...

Волатильность по периодам


HNSS.LVOOРазница

Волатильность (1 месяц)

Рассчитано за последний месяц

13.65%

3.95%

+9.70%

Волатильность (6 месяцев)

Рассчитано за последние 6 месяцев

26.17%

8.66%

+17.51%

Волатильность (1 год)

Рассчитано за последние 12 месяцев

54.01%

11.70%

+42.31%

Волатильность (5 лет)

Рассчитано за последние 5 лет, в годовом выражении

38.29%

15.82%

+22.47%

Волатильность (10 лет)

Рассчитано за последние 10 лет, в годовом выражении

38.29%

18.12%

+20.17%

Сравнение комиссий HNSS.L и VOO

HNSS.L берет комиссию в 0.35%, что несколько больше комиссии VOO в 0.03%.


Дивиденды

Сравнение дивидендов HNSS.L и VOO

HNSS.L не выплачивал дивиденды акционерам, тогда как дивидендная доходность VOO за последние двенадцать месяцев составляет около 1.05%.


ПозицияTTM20252024202320222021202020192018201720162015
HNSS.L
HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF
0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%0.00%
VOO
Vanguard S&P 500 ETF
1.05%1.13%1.24%1.46%1.69%1.25%1.54%1.88%2.06%1.78%2.02%2.10%

Часто задаваемые вопросы


HNSS.L and VOO have a correlation of 0.48, meaning they provide meaningful diversification benefit when combined. Depending on your allocation goals, holding both could reduce overall portfolio risk.

On fees, VOO is cheaper at 0.03% per year. The better choice depends on whether you care most about return, fees, risk, or income.

VOO is cheaper with a 0.03% expense ratio, compared with 0.35% for HNSS.L.

HNSS.L is categorized as Semiconductors, while VOO is S&P 500. HNSS.L tracks Nasdaq Global Semiconductor Index, while VOO tracks S&P 500 Index. They also come from different issuers: HSBC and Vanguard. Their fees differ too: 0.35% for HNSS.L and 0.03% for VOO.

Оптимизатор портфеля

Подберите оптимальное распределение для HNSS.L и VOO

Добавьте оба актива в портфель и оптимизируйте доли под вашу цель — будь то максимизация доходности, минимизация просадок или баланс рисков между позициями.

Открыть оптимизатор