Сравнение HNSS.L с SOXX
Здесь вы можете быстро сравнить и сопоставить основные факты о HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) и iShares PHLX Semiconductor ETF (SOXX).
HNSS.L и SOXX являются биржевыми фондами (ETF), то есть они торгуются на фондовых биржах и могут быть куплены и проданы в течение дня. HNSS.L - это пассивный фонд от HSBC, который отслеживает доходность MSCI World/Information Tech NR USD. Фонд был запущен 25 янв. 2022 г.. SOXX - это пассивный фонд от iShares, который отслеживает доходность PHLX Semiconductor Sector Index. Фонд был запущен 10 июл. 2001 г.. Оба фонда являются пассивными, то есть они не управляются активно, а лишь стараются максимально точно повторить доходность индекса, который они отслеживают.
Прокрутите вниз, чтобы наглядно сравнить доходность, рискованность, просадки и другие показатели и решить, что лучше подходит для вашего портфеля: HNSS.L или SOXX.
Основные характеристики
| HNSS.L | SOXX | |
|---|---|---|
| Дох-ть с нач. г. | 20.91% | 19.47% |
| Дох-ть за 1 год | 40.38% | 44.45% |
| Коэф-т Шарпа | 0.79 | 1.32 |
| Коэф-т Сортино | 1.42 | 1.81 |
| Коэф-т Омега | 1.26 | 1.24 |
| Коэф-т Кальмара | 1.47 | 1.82 |
| Коэф-т Мартина | 3.37 | 4.74 |
| Индекс Язвы | 11.29% | 9.57% |
| Дневная вол-ть | 47.99% | 34.30% |
| Макс. просадка | -29.74% | -70.21% |
| Текущая просадка | -20.52% | -13.78% |
Корреляция
Корреляция между HNSS.L и SOXX составляет 0.70 и считается высокой. Это указывает на сильную положительную связь между движениями цен активов.
Доходность
Сравнение доходности HNSS.L и SOXX
С начала года, HNSS.L показывает доходность 20.91%, что значительно выше, чем у SOXX с доходностью 19.47%. Ниже представлена диаграмма роста вложения $10,000 в оба актива, с поправкой цен на сплиты и дивиденды.
Сравнение акций, фондов или ETF
Ищите акции, ETF и фонды для быстрого сравнения или перейдите к инструменту сравнения для большего количества опций.
Сравнение комиссий HNSS.L и SOXX
HNSS.L берет комиссию в 0.35%, что меньше комиссии SOXX в 0.46%.
Риск-скорректированная доходность
Сравнение HNSS.L c SOXX - Риск-скорректированная доходность
В таблице представлено сравнение показателей доходности скорректированной на риск для HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) и iShares PHLX Semiconductor ETF (SOXX). Риск-скорректированные показатели оценивают доходность инвестиций с учетом их рискованности, что позволяет более точно сравнивать различные активы между собой.
Дивиденды
Сравнение дивидендов HNSS.L и SOXX
HNSS.L не выплачивал дивиденды акционерам, тогда как дивидендная доходность SOXX за последние двенадцать месяцев составляет около 0.64%.
| TTM | 2023 | 2022 | 2021 | 2020 | 2019 | 2018 | 2017 | 2016 | 2015 | 2014 | 2013 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HNSS.L HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF | 0.00% | 0.00% | 0.00% | 0.00% | 0.00% | 0.00% | 0.00% | 0.00% | 0.00% | 0.00% | 0.00% | 0.00% |
SOXX iShares PHLX Semiconductor ETF | 0.64% | 0.78% | 1.25% | 0.64% | 0.81% | 1.23% | 1.37% | 0.90% | 1.08% | 1.29% | 1.56% | 1.18% |
Просадки
Сравнение просадок HNSS.L и SOXX
Максимальная просадка HNSS.L за все время составила -29.74%, что меньше максимальной просадки SOXX в -70.21%. Используйте график ниже для сравнения максимальных просадок HNSS.L и SOXX. Больше опций вы сможете найти перейдя к инструменту просадок.
Волатильность
Сравнение волатильности HNSS.L и SOXX
Текущая волатильность для HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) составляет 7.55%, в то время как у iShares PHLX Semiconductor ETF (SOXX) волатильность равна 9.22%. Это указывает на то, что HNSS.L испытывает меньшие колебания цены и, как следствие, считается менее рискованной по сравнению с SOXX. На приведенном ниже графике показано сравнение их месячной скользящей волатильности.