PortfoliosLab logo
PortfoliosLab logo
Инструменты
Анализ доходности
Факторный анализ
Портфели
Ленивые портфелиПользовательские портфели
Обсуждения
HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L...
Доходность
Риск-скорректированная доходность
Дивиденды
Просадки
Волатильность

Информация о ETF

ISINIE000YDZG487
WKNA3C98L
ЭмитентHSBC
Дата выпуска25 янв. 2022 г.
КатегорияTechnology Equities
С использованием кредитного плеча1x
Отслеживаемый индексMSCI World/Information Tech NR USD
Страна регистрацииIreland
Дивидендная политикаНакопительная
Класс активаАкции

Размер класса активов

Высокая

Стиль класса активов

Рост

Комиссия

Комиссия HNSS.L составляет 0.35%, что примерно соответствует среднему уровню по рынку.


График комиссии HNSS.L с текущим значением в {{expenseRatio}} в сравнении с значениями по рынку от 0.00% до 2.12%.0.50%1.00%1.50%2.00%0.35%

График цены за акцию


Загрузка...

Сравнение с другими инструментами

Ищите акции, ETF и фонды для быстрого сравнения или перейдите к инструменту сравнения для большего количества опций.


Популярные сравнения: HNSS.L с INTL.L, HNSS.L с VVSM.DE, HNSS.L с SEC0.DE, HNSS.L с SMGB.L, HNSS.L с ASML, HNSS.L с SOXX, HNSS.L с SMH, HNSS.L с IITU.L, HNSS.L с VUAA.L, HNSS.L с EQQQ.DE

Доходность

График доходности

График показывает рост £10,000 инвестированных в HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF и сравнивает его с ростом индекса S&P 500 или другим бенчмарком. Цены представлены с поправкой на сплиты и дивиденды.


-10.00%0.00%10.00%20.00%30.00%JuneJulyAugustSeptemberOctoberNovember
-2.04%
8.07%
HNSS.L (HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF)
Benchmark (^GSPC)

Доходность по периодам

HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF показал доход в 16.13% с начала года и 36.70% за последние 12 месяцев.


ПериодДоходностьБенчмарк
С начала года16.13%21.24%
1 месяц-1.83%0.55%
6 месяцев-2.04%11.47%
1 год36.70%32.45%
5 лет (среднегодовая)N/A13.43%
10 лет (среднегодовая)N/A11.05%

Доходность по месяцам

Ниже представлена таблица с месячной доходностью HNSS.L, с цветовой градацией от худшего до лучшего месяца, для легкого выявления сезонных факторов. Значения учитывают дивиденды.


янв.февр.мартапр.майиюньиюльавг.сент.окт.нояб.дек.Total
20242.60%11.76%5.09%-4.15%5.43%9.82%-8.80%-4.22%-1.10%-0.66%16.13%
202314.38%2.54%6.69%-9.02%18.29%3.22%3.29%-2.76%-3.06%-4.77%12.11%11.35%60.90%
2022-0.40%0.60%2.33%-10.21%2.45%-14.35%11.12%-4.01%-8.55%-1.11%11.10%-6.57%-19.12%

Риск-скорректированная доходность

Ранг риск-скорректированной доходности

Текущий ранг HNSS.L среди ETFs на нашем сайте составляет 29, что означает, что инвестиция имеет средние результаты по показателям риск-скорректированной доходности. Этот ранг определяется совокупными значениями показателей, перечисленных ниже.


Ранг риск-скорректированной доходности HNSS.L, с текущим значением в 2929
Общий ранг
Ранг коэф-та Шарпа HNSS.L, с текущим значением в 1818Ранг коэф-та Шарпа
Ранг коэф-та Сортино HNSS.L, с текущим значением в 2222Ранг коэф-та Сортино
Ранг коэф-та Омега HNSS.L, с текущим значением в 3737Ранг коэф-та Омега
Ранг коэф-та Кальмара HNSS.L, с текущим значением в 4848Ранг коэф-та Кальмара
Ранг коэф-та Мартина HNSS.L, с текущим значением в 2121Ранг коэф-та Мартина
Ранг риск-скорректированной доходности показывает позицию инструмента относительно рынка. Значение, ближе к 100, означает результат выше рынка, в то время как ранг, ближе к 0, указывает на значительное отставание выбранного показателя. Значения рассчитываются на основе доходности за последние 12 месяцев.

Показатели риск-скорректированной доходности

Ниже приведены показатели риск-скорректированной доходности для HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) и их сравнение с выбранным индексом (^GSPC). Эти показатели оценивают доходность инвестиций относительно связанных с ними рисков.


HNSS.L
Коэффициент Шарпа
Коэффициент Шарпа HNSS.L, с текущим значением в 0.72, в сравнении с широким рынком0.002.004.006.000.72
Коэффициент Сортино
Коэффициент Сортино HNSS.L, с текущим значением в 1.34, в сравнении с широким рынком-2.000.002.004.006.008.0010.0012.001.34
Коэффициент Омега
Коэффициент Омега HNSS.L, с текущим значением в 1.24, в сравнении с широким рынком1.001.502.002.503.001.24
Коэффициент Кальмара
Коэффициент Кальмара HNSS.L, с текущим значением в 1.34, в сравнении с широким рынком0.005.0010.0015.0020.001.34
Коэффициент Мартина
Коэффициент Мартина HNSS.L, с текущим значением в 3.12, в сравнении с широким рынком0.0020.0040.0060.0080.00100.00120.003.12
^GSPC
Коэффициент Шарпа
Коэффициент Шарпа ^GSPC, с текущим значением в 2.70, в сравнении с широким рынком0.002.004.006.002.70
Коэффициент Сортино
Коэффициент Сортино ^GSPC, с текущим значением в 3.58, в сравнении с широким рынком-2.000.002.004.006.008.0010.0012.003.58
Коэффициент Омега
Коэффициент Омега ^GSPC, с текущим значением в 1.50, в сравнении с широким рынком1.001.502.002.503.001.50
Коэффициент Кальмара
Коэффициент Кальмара ^GSPC, с текущим значением в 3.49, в сравнении с широким рынком0.005.0010.0015.0020.003.49
Коэффициент Мартина
Коэффициент Мартина ^GSPC, с текущим значением в 17.22, в сравнении с широким рынком0.0020.0040.0060.0080.00100.00120.0017.22

Коэффициент Шарпа

HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF на текущий момент имеет коэффициент Шарпа равный 0.72. Это значение рассчитано на основе данных за прошедший период в 1 year и учитывает как изменения цен, так и дивиденды.

Используйте график ниже, чтобы сравнить коэффициент Шарпа с бенчмарком для анализа эффективности инвестиции или перейдите к инструменту коэффициента Шарпа для более детального контроля над параметрами расчета.


Скользящий 12-месячный коэффициент Шарпа1.001.502.002.50JuneJulyAugustSeptemberOctoberNovember
0.72
1.80
HNSS.L (HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF)
Benchmark (^GSPC)

Дивиденды

История дивидендов


HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF не выплачивает дивиденды

Просадки

График просадок

На графике просадок отображаются убытки портфеля с любого максимума на всем периоде.


-25.00%-20.00%-15.00%-10.00%-5.00%0.00%JuneJulyAugustSeptemberOctoberNovember
-23.66%
-1.00%
HNSS.L (HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF)
Benchmark (^GSPC)

Максимальные просадки

HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF показал максимальную просадку в 29.74%, зарегистрированную 17 окт. 2022 г.. Полное восстановление заняло 151 торговую сессию.

Текущая просадка HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF составляет 23.66%.

В таблице ниже показаны максимальные просадки. Максимальная просадка - показатель риска. Он показывает снижение стоимости портфеля от максимума после серии убыточных торгов.


Глубина

Начало

Падение

Дно

Восстановление

Окончание

Всего

-29.74%30 мар. 2022 г.13717 окт. 2022 г.15125 мая 2023 г.288
-25.8%11 июл. 2024 г.416 сент. 2024 г.171 окт. 2024 г.58
-24.55%2 окт. 2024 г.2231 окт. 2024 г.
-11.91%8 мар. 2024 г.3022 апр. 2024 г.2223 мая 2024 г.52
-11.4%2 авг. 2023 г.6330 окт. 2023 г.1114 нояб. 2023 г.74

Волатильность

График волатильности

Текущая волатильность HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF составляет 6.49%, что отражает среднее процентное изменение стоимости инвестиций вверх или вниз за последний месяц. Ниже представлен график, показывающий скользящую волатильность за один месяц.


0.00%10.00%20.00%30.00%40.00%JuneJulyAugustSeptemberOctoberNovember
6.49%
3.23%
HNSS.L (HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF)
Benchmark (^GSPC)