Сравнение HNSS.L с VVSM.DE
Здесь вы можете быстро сравнить и сопоставить основные факты о HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) и VanEck Semiconductor UCITS ETF (VVSM.DE).
HNSS.L и VVSM.DE являются биржевыми фондами (ETF), то есть они торгуются на фондовых биржах и могут быть куплены и проданы в течение дня. HNSS.L - это пассивный фонд от HSBC, который отслеживает доходность MSCI World/Information Tech NR USD. Фонд был запущен 25 янв. 2022 г.. VVSM.DE - это пассивный фонд от VanEck, который отслеживает доходность MVIS US Listed Semiconductor 10% Capped ESG Index. Фонд был запущен 1 дек. 2020 г.. Оба фонда являются пассивными, то есть они не управляются активно, а лишь стараются максимально точно повторить доходность индекса, который они отслеживают.
Прокрутите вниз, чтобы наглядно сравнить доходность, рискованность, просадки и другие показатели и решить, что лучше подходит для вашего портфеля: HNSS.L или VVSM.DE.
Основные характеристики
| HNSS.L | VVSM.DE | |
|---|---|---|
| Дох-ть с нач. г. | 16.13% | 26.07% |
| Дох-ть за 1 год | 36.70% | 47.76% |
| Коэф-т Шарпа | 0.72 | 1.47 |
| Коэф-т Сортино | 1.34 | 1.96 |
| Коэф-т Омега | 1.24 | 1.26 |
| Коэф-т Кальмара | 1.34 | 1.72 |
| Коэф-т Мартина | 3.12 | 4.50 |
| Индекс Язвы | 11.13% | 9.66% |
| Дневная вол-ть | 47.94% | 29.47% |
| Макс. просадка | -29.74% | -44.53% |
| Текущая просадка | -23.66% | -14.97% |
Корреляция
Корреляция между HNSS.L и VVSM.DE составляет 0.92 и считается высокой. Это указывает на сильную положительную связь между движениями цен активов.
Доходность
Сравнение доходности HNSS.L и VVSM.DE
С начала года, HNSS.L показывает доходность 16.13%, что значительно ниже, чем у VVSM.DE с доходностью 26.07%. Ниже представлена диаграмма роста вложения $10,000 в оба актива, с поправкой цен на сплиты и дивиденды.
Сравнение акций, фондов или ETF
Ищите акции, ETF и фонды для быстрого сравнения или перейдите к инструменту сравнения для большего количества опций.
Сравнение комиссий HNSS.L и VVSM.DE
И HNSS.L, и VVSM.DE имеют комиссию равную 0.35%.
Риск-скорректированная доходность
Сравнение HNSS.L c VVSM.DE - Риск-скорректированная доходность
В таблице представлено сравнение показателей доходности скорректированной на риск для HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) и VanEck Semiconductor UCITS ETF (VVSM.DE). Риск-скорректированные показатели оценивают доходность инвестиций с учетом их рискованности, что позволяет более точно сравнивать различные активы между собой.
Дивиденды
Сравнение дивидендов HNSS.L и VVSM.DE
Ни HNSS.L, ни VVSM.DE не выплачивали дивиденды акционерам.
Просадки
Сравнение просадок HNSS.L и VVSM.DE
Максимальная просадка HNSS.L за все время составила -29.74%, что меньше максимальной просадки VVSM.DE в -44.53%. Используйте график ниже для сравнения максимальных просадок HNSS.L и VVSM.DE. Больше опций вы сможете найти перейдя к инструменту просадок.
Волатильность
Сравнение волатильности HNSS.L и VVSM.DE
Текущая волатильность для HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) составляет 7.03%, в то время как у VanEck Semiconductor UCITS ETF (VVSM.DE) волатильность равна 8.36%. Это указывает на то, что HNSS.L испытывает меньшие колебания цены и, как следствие, считается менее рискованной по сравнению с VVSM.DE. На приведенном ниже графике показано сравнение их месячной скользящей волатильности.