Сравнение HNSS.L с IITU.L
Здесь вы можете быстро сравнить и сопоставить основные факты о HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) и iShares S&P 500 USD Information Technology Sector UCITS (IITU.L).
HNSS.L и IITU.L являются биржевыми фондами (ETF), то есть они торгуются на фондовых биржах и могут быть куплены и проданы в течение дня. HNSS.L - это пассивный фонд от HSBC, который отслеживает доходность MSCI World/Information Tech NR USD. Фонд был запущен 25 янв. 2022 г.. IITU.L - это пассивный фонд от iShares, который отслеживает доходность MSCI World/Information Tech NR USD. Фонд был запущен 20 нояб. 2015 г.. Оба фонда являются пассивными, то есть они не управляются активно, а лишь стараются максимально точно повторить доходность индекса, который они отслеживают.
Прокрутите вниз, чтобы наглядно сравнить доходность, рискованность, просадки и другие показатели и решить, что лучше подходит для вашего портфеля: HNSS.L или IITU.L.
Основные характеристики
HNSS.L | IITU.L | |
---|---|---|
Дох-ть с нач. г. | 16.13% | 28.29% |
Дох-ть за 1 год | 36.70% | 39.24% |
Коэф-т Шарпа | 0.72 | 1.83 |
Коэф-т Сортино | 1.34 | 2.44 |
Коэф-т Омега | 1.24 | 1.32 |
Коэф-т Кальмара | 1.34 | 2.47 |
Коэф-т Мартина | 3.12 | 7.52 |
Индекс Язвы | 11.13% | 4.83% |
Дневная вол-ть | 47.94% | 19.89% |
Макс. просадка | -29.74% | -23.56% |
Текущая просадка | -23.66% | -4.15% |
Корреляция
Корреляция между HNSS.L и IITU.L составляет 0.87 и считается высокой. Это указывает на сильную положительную связь между движениями цен активов.
Доходность
Сравнение доходности HNSS.L и IITU.L
С начала года, HNSS.L показывает доходность 16.13%, что значительно ниже, чем у IITU.L с доходностью 28.29%. Ниже представлена диаграмма роста вложения $10,000 в оба актива, с поправкой цен на сплиты и дивиденды.
Сравнение акций, фондов или ETF
Ищите акции, ETF и фонды для быстрого сравнения или перейдите к инструменту сравнения для большего количества опций.
Сравнение комиссий HNSS.L и IITU.L
HNSS.L берет комиссию в 0.35%, что несколько больше комиссии IITU.L в 0.15%.
Риск-скорректированная доходность
Сравнение HNSS.L c IITU.L - Риск-скорректированная доходность
В таблице представлено сравнение показателей доходности скорректированной на риск для HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) и iShares S&P 500 USD Information Technology Sector UCITS (IITU.L). Риск-скорректированные показатели оценивают доходность инвестиций с учетом их рискованности, что позволяет более точно сравнивать различные активы между собой.
Дивиденды
Сравнение дивидендов HNSS.L и IITU.L
Ни HNSS.L, ни IITU.L не выплачивали дивиденды акционерам.
Просадки
Сравнение просадок HNSS.L и IITU.L
Максимальная просадка HNSS.L за все время составила -29.74%, что больше максимальной просадки IITU.L в -23.56%. Используйте график ниже для сравнения максимальных просадок HNSS.L и IITU.L. Больше опций вы сможете найти перейдя к инструменту просадок.
Волатильность
Сравнение волатильности HNSS.L и IITU.L
HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) имеет более высокую волатильность в 7.03% по сравнению с iShares S&P 500 USD Information Technology Sector UCITS (IITU.L) с волатильностью 4.90%. Это указывает на то, что HNSS.L испытывает большие колебания цены и, как следствие, считается более рискованной по сравнению с IITU.L. На приведенном ниже графике показано сравнение их месячной скользящей волатильности.