Сравнение HNSC.L с HNSS.L
Здесь вы можете быстро сравнить и сопоставить основные факты о HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF USD (HNSC.L) и HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L).
HNSC.L и HNSS.L являются биржевыми фондами (ETF), то есть они торгуются на фондовых биржах и могут быть куплены и проданы в течение дня. HNSC.L - это пассивный фонд от HSBC, который отслеживает доходность Nasdaq Global Semiconductor. Фонд был запущен 25 янв. 2022 г.. HNSS.L - это пассивный фонд от HSBC, который отслеживает доходность Nasdaq Global Semiconductor Index. Фонд был запущен 25 янв. 2022 г.. Оба фонда являются пассивными, то есть они не управляются активно, а лишь стараются максимально точно повторить доходность индекса, который они отслеживают.
Доходность
Сравнение доходности HNSC.L и HNSS.L
Загрузка...
Сравнение доходности по годам HNSC.L и HNSS.L
| 2026 (YTD) | 2025 | 2024 | 2023 | 2022 | |
|---|---|---|---|---|---|
HNSC.L HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF USD | 14.72% | 55.83% | 17.71% | 50.92% | -18.53% |
HNSS.L HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF | 14.02% | 56.48% | 17.97% | 69.39% | -27.65% |
Разные валюты инструментов
HNSC.L торгуется в USD, в то время как HNSS.L торгуется в GBP. Чтобы показатели можно было сравнивать, все значения HNSS.L были конвертированы в USD с использованием последнего доступного обменного курса.
Доходность по периодам
Доходность обеих инвестиций с начала года близка: HNSC.L показывает доходность 14.72%, а HNSS.L немного ниже – 14.02%.
HNSC.L
- 1 день
- 6.92%
- 1 месяц
- -4.15%
- С начала года
- 14.72%
- 6 месяцев
- 33.08%
- 1 год
- 102.53%
- 3 года*
- 40.75%
- 5 лет*
- —
- 10 лет*
- —
HNSS.L
- 1 день
- 6.63%
- 1 месяц
- -4.62%
- С начала года
- 14.02%
- 6 месяцев
- 32.75%
- 1 год
- 101.89%
- 3 года*
- 40.83%
- 5 лет*
- —
- 10 лет*
- —
Сравнение акций, фондов или ETF
Ищите акции, ETF и фонды для быстрого сравнения или перейдите к инструменту сравнения для большего количества опций.
Сравнение комиссий HNSC.L и HNSS.L
И HNSC.L, и HNSS.L имеют комиссию равную 0.35%.
Доходность на риск
HNSC.L vs. HNSS.L — Ранг доходности на риск
HNSC.L
HNSS.L
Сравнение HNSC.L c HNSS.L - Риск-скорректированная доходность
В таблице представлено сравнение показателей доходности скорректированной на риск для HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF USD (HNSC.L) и HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L). Риск-скорректированные показатели оценивают доходность инвестиций с учетом их рискованности, что позволяет более точно сравнивать различные активы между собой.
| HNSC.L | HNSS.L | Difference | |
|---|---|---|---|
Коэффициент ШарпаДоходность на единицу общей волатильности | 3.04 | 3.04 | +0.01 |
Коэффициент СортиноДоходность на единицу негативного риска | 3.56 | 3.54 | +0.02 |
Коэффициент ОмегаВероятность прибыли против убытков | 1.46 | 1.46 | 0.00 |
Коэффициент КальмараДоходность относительно максимальной просадки | 6.74 | 6.45 | +0.30 |
Коэффициент МартинаДоходность относительно средней просадки | 24.37 | 23.98 | +0.39 |
Data is calculated on a 1-year rolling basis and updated daily. The trend shows the change in the indicator over the past month. | |||
Загрузка...
Коэффициенты Шарпа по периодам
| HNSC.L | HNSS.L | Разница | |
|---|---|---|---|
Коэф-т Шарпа (1 год)Рассчитано за последние 12 месяцев | 3.04 | 3.04 | +0.01 |
Коэф-т Шарпа (за всё время)Рассчитано по всей доступной истории цен | 1.04 | 0.82 | +0.22 |
Корреляция
Корреляция между HNSC.L и HNSS.L составляет 0.74 и считается высокой. Это указывает на сильную положительную связь между движениями цен активов.
Дивиденды
Сравнение дивидендов HNSC.L и HNSS.L
Ни HNSC.L, ни HNSS.L не выплачивали дивиденды акционерам.
Просадки
Сравнение просадок HNSC.L и HNSS.L
Максимальная просадка HNSC.L за все время составила -39.32%, примерно равная максимальной просадке HNSS.L в -41.16%. Используйте график ниже для сравнения максимальных просадок HNSC.L и HNSS.L.
Загрузка...
Показатели просадок
| HNSC.L | HNSS.L | Разница | |
|---|---|---|---|
Макс. просадкаМаксимальное падение от пика до дна | -39.32% | -36.83% | -2.49% |
Макс. просадка (1 год)Максимальное падение за 1 год | -15.57% | -14.21% | -1.36% |
Текущая просадкаТекущее падение от пика | -9.02% | -7.68% | -1.34% |
Средняя просадкаСреднее падение от пика до дна | -9.96% | -9.88% | -0.08% |
Индекс ЯзвыГлубина и продолжительность просадок от предыдущих пиков | 4.15% | 3.85% | +0.30% |
Волатильность
Сравнение волатильности HNSC.L и HNSS.L
HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF USD (HNSC.L) и HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) имеют волатильность 11.66% и 11.25% соответственно, что указывает на схожий уровень колебаний их цен. Это говорит о том, что риск волатильности, связанный с обеими акциями, практически одинаков. На приведенном ниже графике показано сравнение их месячной скользящей волатильности.
Загрузка...
Волатильность по периодам
| HNSC.L | HNSS.L | Разница | |
|---|---|---|---|
Волатильность (1 месяц)Рассчитано за последний месяц | 11.66% | 11.25% | +0.41% |
Волатильность (6 месяцев)Рассчитано за последние 6 месяцев | 24.16% | 23.99% | +0.17% |
Волатильность (1 год)Рассчитано за последние 12 месяцев | 33.53% | 33.41% | +0.12% |
Волатильность (5 лет)Рассчитано за последние 5 лет, в годовом выражении | 37.14% | 31.28% | +5.86% |
Волатильность (10 лет)Рассчитано за последние 10 лет, в годовом выражении | 37.14% | 31.28% | +5.86% |