Strive U.S. Semiconductor ETF (SHOC)

Ищите акции, ETF и фонды для быстрого сравнения или перейдите к инструменту сравнения для большего количества опций.

График показывает рост $10,000 инвестированных в Strive U.S. Semiconductor ETF и сравнивает его с ростом индекса S&P 500 или другим бенчмарком. Цены представлены с поправкой на сплиты и дивиденды.

Strive U.S. Semiconductor ETF (SHOC) показал доход в 5.01% с начала года и 81.91% за последние 12 месяцев.

На основе ежедневных данных с 6 окт. 2022 г. средняя дневная доходность (также называемая ожидаемой доходностью) составляет +0.15%, а средняя месячная доходность — +2.90%. При таком уровне доходности ваши инвестиции удвоятся примерно за 2.0 лет.

Исторически 62% месяцев были с положительной доходностью, а 38% — с отрицательной. Лучший месяц был нояб. 2023 г. с доходностью +15.9%, в то время как худший месяц был дек. 2022 г. с доходностью -10.7%. Самая длинная серия побед составила 7 подряд месяцев, а самая длинная серия поражений — 3 месяцев.

В ежедневном выражении SHOC закрывался с повышением в 54% случаев. Лучший день был 9 апр. 2025 г. с доходностью +17.7%, в то время как худший день был 27 янв. 2025 г. с доходностью -10.1%.

Strive U.S. Semiconductor ETF: годовая альфа составляет 5.90%, бета — 1.82, а R² — 0.68 относительно S&P 500 Index с 07.10.2022.

• Этот ETF участвовал в 202.09% роста S&P 500 Index и в 132.29% его снижения — усиливая и рост, и просадки, но все же сильнее выигрывая от роста, чем страдая при падении.
• Этот ETF показал годовую альфу 5.90% относительно S&P 500 Index — доходность была выше, чем можно было бы ожидать только на основе рыночной экспозиции.
• Бета 1.82 означает, что этот ETF обычно колеблется сильнее, чем S&P 500 Index — в периоды рыночной волатильности это может приводить как к более сильному росту, так и к более глубоким просадкам.

Комиссия SHOC составляет 0.40%, что примерно соответствует среднему уровню по рынку.

SHOC имеет ранг 94 по соотношению доходности и риска — в топ 94% среди ETF на нашем сайте. Высокая доходность относительно риска — именно то, что ищут профессиональные инвесторы. Подходит для тех, кто хочет максимизировать отдачу на единицу риска.

Ниже приведены показатели риск-скорректированной доходности для Strive U.S. Semiconductor ETF (SHOC) и их сравнение с выбранным бенчмарком (S&P 500 Index). Эти показатели оценивают доходность инвестиций относительно связанных с ними рисков.

Дивидендная доходность Strive U.S. Semiconductor ETF за предыдущие двенадцать месяцев составила 0.23%. Годовые выплаты за этот период в сумме составили $0.17 на акцию.

В таблице показаны ежемесячные выплаты дивидендов для Strive U.S. Semiconductor ETF. Указанные значения скорректированы с учетом сплитов.

На графике просадок отображаются убытки портфеля с любого максимума на всем периоде.

Strive U.S. Semiconductor ETF показал максимальную просадку в 37.54%, зарегистрированную 4 апр. 2025 г.. Полное восстановление заняло 65 торговых сессий.

Текущая просадка Strive U.S. Semiconductor ETF составляет 9.87%.

В таблице ниже показаны максимальные просадки. Максимальная просадка - показатель риска. Он показывает снижение стоимости портфеля от максимума после серии убыточных торгов.

Ниже представлен график, показывающий скользящую волатильность за один месяц.