Сравнение HNSS.L с HNSC.L
HNSS.L (HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF) and HNSC.L (HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF USD) are both Semiconductors funds from HSBC - HNSS.L tracks the Nasdaq Global Semiconductor Index while HNSC.L tracks the Nasdaq Global Semiconductor. Both are passively managed. Over the past 3 years, HNSS.L returned 58.47%/yr vs 58.61%/yr for HNSC.L. A 0.76 correlation means they provide meaningful diversification when combined. Both charge a 0.35% expense ratio.
Доходность
Сравнение доходности HNSS.L и HNSC.L
Загрузка графика...
Разные валюты инструментов
HNSS.L торгуется в GBP, в то время как HNSC.L торгуется в USD. Чтобы показатели можно было сравнивать, все значения HNSC.L были конвертированы в GBP с использованием последнего доступного обменного курса.
Доходность по периодам
Доходность обеих инвестиций с начала года близка: HNSS.L показывает доходность 91.77%, а HNSC.L немного выше – 93.05%.
HNSS.L
- 1 день
- -2.66%
- 1 месяц
- 16.95%
- С начала года
- 91.77%
- 6 месяцев
- 91.00%
- 1 год
- 190.60%
- 3 года*
- 58.47%
- 5 лет*
- —
- 10 лет*
- —
HNSC.L
- 1 день
- -3.06%
- 1 месяц
- 21.29%
- С начала года
- 93.05%
- 6 месяцев
- 93.20%
- 1 год
- 194.39%
- 3 года*
- 58.61%
- 5 лет*
- —
- 10 лет*
- —
Сравнение доходности по годам HNSS.L и HNSC.L
| 2026 (YTD) | 2025 | 2024 | 2023 | 2022 | |
|---|---|---|---|---|---|
HNSS.L HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF | 91.77% | 45.50% | 19.96% | 60.90% | -18.97% |
HNSC.L HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF USD | 92.99% | 44.73% | 19.77% | 46.55% | -10.81% |
Correlation
The correlation between HNSS.L and HNSC.L is 0.98 - these two move nearly in lockstep. At this level, holding both provides almost no diversification benefit. If you already own one, adding the other does little to reduce portfolio risk.
| Корреляция | |
|---|---|
Корреляция (1 год) Рассчитано за последние 12 месяцев | 0.98 |
Корреляция (3 года) Рассчитано за последние 3 года | 0.92 |
Корреляция (за всё время) Рассчитано по всей доступной истории цен начиная с 8 февр. 2022 г. | 0.76 |
Over the past year, HNSS.L and HNSC.L have become more correlated (0.98) than their long-term average of 0.76, meaning their price movements have been converging.
Сравнение акций, фондов или ETF
Ищите акции, ETF и фонды для быстрого сравнения или перейдите к инструменту сравнения для большего количества опций.
Доходность на риск
HNSS.L vs. HNSC.L — Ранг доходности на риск
HNSS.L
HNSC.L
Сравнение HNSS.L c HNSC.L - Риск-скорректированная доходность
В таблице представлено сравнение показателей доходности скорректированной на риск для HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) и HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF USD (HNSC.L). Риск-скорректированные показатели оценивают доходность инвестиций с учетом их рискованности, что позволяет более точно сравнивать различные активы между собой.
| HNSS.L | HNSC.L | Difference | |
|---|---|---|---|
| Коэффициент ШарпаДоходность на единицу общей волатильности | +0.12 | ||
| Коэффициент СортиноДоходность на единицу негативного риска | +0.11 | ||
| Коэффициент ОмегаВероятность прибыли против убытков | 1.78 | 1.76 | +0.02 |
| Коэффициент КальмараДоходность относительно максимальной просадки | 14.66 | 14.51 | +0.15 |
| Коэффициент МартинаДоходность относительно средней просадки | 50.30 | 49.74 | +0.56 |
Data is calculated on a 1-year rolling basis and updated daily. The trend shows the change in the indicator over the past month. | |||
Загрузка графика...
Коэффициенты Шарпа по периодам
| HNSS.L | HNSC.L | Разница | |
|---|---|---|---|
Коэф-т Шарпа (1 год)Рассчитано за последние 12 месяцев | 6.08 | 5.96 | +0.12 |
Коэф-т Шарпа (за всё время)Рассчитано по всей доступной истории цен | 1.34 | 1.72 | -0.39 |
Просадки
Сравнение просадок HNSS.L и HNSC.L
Максимальная просадка HNSS.L за все время составила -36.83%, примерно равная максимальной просадке HNSC.L в -36.91%. Используйте график ниже для сравнения максимальных просадок HNSS.L и HNSC.L.
Загрузка графика...
Показатели просадок
| HNSS.L | HNSC.L | Разница | |
|---|---|---|---|
Макс. просадкаМаксимальное падение от пика до дна | -36.83% | -36.91% | +0.08% |
Макс. просадка (1 год)Максимальное падение за 1 год | -13.16% | -13.31% | +0.15% |
Макс. просадка (3 года)Максимальное падение за 3 года | -36.83% | -36.91% | +0.08% |
Текущая просадкаТекущее падение от пика | -2.66% | -3.06% | +0.40% |
Средняя просадкаСреднее падение от пика до дна | -9.55% | -8.68% | -0.87% |
Индекс ЯзвыГлубина и продолжительность просадок от предыдущих пиков | 3.84% | 3.89% | -0.05% |
Волатильность
Сравнение волатильности HNSS.L и HNSC.L
HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) и HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF USD (HNSC.L) имеют волатильность 13.36% и 13.83% соответственно, что указывает на схожий уровень колебаний их цен. Это говорит о том, что риск волатильности, связанный с обеими акциями, практически одинаков. На приведенном ниже графике показано сравнение их месячной скользящей волатильности.
Загрузка графика...
Волатильность по периодам
| HNSS.L | HNSC.L | Разница | |
|---|---|---|---|
Волатильность (1 месяц)Рассчитано за последний месяц | 13.36% | 13.83% | -0.47% |
Волатильность (6 месяцев)Рассчитано за последние 6 месяцев | 24.62% | 25.27% | -0.65% |
Волатильность (1 год)Рассчитано за последние 12 месяцев | 31.72% | 32.41% | -0.69% |
Волатильность (5 лет)Рассчитано за последние 5 лет, в годовом выражении | 30.12% | 35.50% | -5.38% |
Волатильность (10 лет)Рассчитано за последние 10 лет, в годовом выражении | 30.12% | 35.50% | -5.38% |
Сравнение комиссий HNSS.L и HNSC.L
И HNSS.L, и HNSC.L имеют комиссию равную 0.35%.
Дивиденды
Сравнение дивидендов HNSS.L и HNSC.L
Ни HNSS.L, ни HNSC.L не выплачивали дивиденды акционерам.
Часто задаваемые вопросы
With a correlation of 0.98, HNSS.L and HNSC.L move almost identically. Holding both adds very little diversification - you're essentially doubling your position in the same market segment. Choosing one is usually more capital-efficient.
Both ETFs have the same 0.35% expense ratio. The better choice depends on whether you care most about return, fees, risk, or income.
HNSS.L and HNSC.L have the same expense ratio: 0.35% per year.
HNSS.L tracks Nasdaq Global Semiconductor Index, while HNSC.L tracks Nasdaq Global Semiconductor.
Подберите оптимальное распределение для HNSS.L и HNSC.L
Добавьте оба актива в портфель и оптимизируйте доли под вашу цель — будь то максимизация доходности, минимизация просадок или баланс рисков между позициями.
Открыть оптимизатор