Сравнение HNSC.L с HSTE.L
Здесь вы можете быстро сравнить и сопоставить основные факты о HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF USD (HNSC.L) и HSBC Hang Seng Tech UCITS ETF (HSTE.L).
HNSC.L и HSTE.L являются биржевыми фондами (ETF), то есть они торгуются на фондовых биржах и могут быть куплены и проданы в течение дня. HNSC.L - это пассивный фонд от HSBC, который отслеживает доходность Nasdaq Global Semiconductor. Фонд был запущен 25 янв. 2022 г.. HSTE.L - это пассивный фонд от HSBC, который отслеживает доходность MSCI World/Information Tech NR USD. Фонд был запущен 9 дек. 2020 г.. Оба фонда являются пассивными, то есть они не управляются активно, а лишь стараются максимально точно повторить доходность индекса, который они отслеживают.
Доходность
Сравнение доходности HNSC.L и HSTE.L
Загрузка...
Сравнение доходности по годам HNSC.L и HSTE.L
| 2026 (YTD) | 2025 | 2024 | 2023 | 2022 | |
|---|---|---|---|---|---|
HNSC.L HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF USD | 14.72% | 55.83% | 17.71% | 50.92% | -18.53% |
HSTE.L HSBC Hang Seng Tech UCITS ETF | -14.40% | 24.57% | 19.70% | -8.44% | -25.35% |
Доходность по периодам
С начала года, HNSC.L показывает доходность 14.72%, что значительно выше, чем у HSTE.L с доходностью -14.40%.
HNSC.L
- 1 день
- 6.92%
- 1 месяц
- -4.15%
- С начала года
- 14.72%
- 6 месяцев
- 33.08%
- 1 год
- 102.53%
- 3 года*
- 40.75%
- 5 лет*
- —
- 10 лет*
- —
HSTE.L
- 1 день
- 1.43%
- 1 месяц
- -4.12%
- С начала года
- -14.40%
- 6 месяцев
- -26.60%
- 1 год
- -12.26%
- 3 года*
- 3.87%
- 5 лет*
- -11.04%
- 10 лет*
- —
Сравнение акций, фондов или ETF
Ищите акции, ETF и фонды для быстрого сравнения или перейдите к инструменту сравнения для большего количества опций.
Сравнение комиссий HNSC.L и HSTE.L
HNSC.L берет комиссию в 0.35%, что меньше комиссии HSTE.L в 0.50%.
Доходность на риск
HNSC.L vs. HSTE.L — Ранг доходности на риск
HNSC.L
HSTE.L
Сравнение HNSC.L c HSTE.L - Риск-скорректированная доходность
В таблице представлено сравнение показателей доходности скорректированной на риск для HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF USD (HNSC.L) и HSBC Hang Seng Tech UCITS ETF (HSTE.L). Риск-скорректированные показатели оценивают доходность инвестиций с учетом их рискованности, что позволяет более точно сравнивать различные активы между собой.
| HNSC.L | HSTE.L | Difference | |
|---|---|---|---|
Коэффициент ШарпаДоходность на единицу общей волатильности | 3.04 | -0.42 | +3.47 |
Коэффициент СортиноДоходность на единицу негативного риска | 3.56 | -0.41 | +3.97 |
Коэффициент ОмегаВероятность прибыли против убытков | 1.46 | 0.95 | +0.51 |
Коэффициент КальмараДоходность относительно максимальной просадки | 6.74 | -0.38 | +7.13 |
Коэффициент МартинаДоходность относительно средней просадки | 24.37 | -0.89 | +25.26 |
Data is calculated on a 1-year rolling basis and updated daily. The trend shows the change in the indicator over the past month. | |||
Загрузка...
Коэффициенты Шарпа по периодам
| HNSC.L | HSTE.L | Разница | |
|---|---|---|---|
Коэф-т Шарпа (1 год)Рассчитано за последние 12 месяцев | 3.04 | -0.42 | +3.47 |
Коэф-т Шарпа (5 лет)Рассчитано за последние 5 лет | — | -0.28 | — |
Коэф-т Шарпа (за всё время)Рассчитано по всей доступной истории цен | 1.04 | -0.24 | +1.28 |
Корреляция
Корреляция между HNSC.L и HSTE.L составляет 0.26 и считается низкой. Это означает, что движения цен активов слабо связаны между собой.
Дивиденды
Сравнение дивидендов HNSC.L и HSTE.L
Ни HNSC.L, ни HSTE.L не выплачивали дивиденды акционерам.
Просадки
Сравнение просадок HNSC.L и HSTE.L
Максимальная просадка HNSC.L за все время составила -39.32%, что меньше максимальной просадки HSTE.L в -74.82%. Используйте график ниже для сравнения максимальных просадок HNSC.L и HSTE.L.
Загрузка...
Показатели просадок
| HNSC.L | HSTE.L | Разница | |
|---|---|---|---|
Макс. просадкаМаксимальное падение от пика до дна | -39.32% | -74.82% | +35.50% |
Макс. просадка (1 год)Максимальное падение за 1 год | -15.57% | -29.99% | +14.42% |
Макс. просадка (5 лет)Максимальное падение за 5 лет | — | -68.29% | — |
Текущая просадкаТекущее падение от пика | -9.02% | -55.99% | +46.97% |
Средняя просадкаСреднее падение от пика до дна | -9.96% | -52.73% | +42.77% |
Индекс ЯзвыГлубина и продолжительность просадок от предыдущих пиков | 4.15% | 12.93% | -8.78% |
Волатильность
Сравнение волатильности HNSC.L и HSTE.L
HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF USD (HNSC.L) имеет более высокую волатильность в 11.66% по сравнению с HSBC Hang Seng Tech UCITS ETF (HSTE.L) с волатильностью 8.82%. Это указывает на то, что HNSC.L испытывает большие колебания цены и, как следствие, считается более рискованной по сравнению с HSTE.L. На приведенном ниже графике показано сравнение их месячной скользящей волатильности.
Загрузка...
Волатильность по периодам
| HNSC.L | HSTE.L | Разница | |
|---|---|---|---|
Волатильность (1 месяц)Рассчитано за последний месяц | 11.66% | 8.82% | +2.84% |
Волатильность (6 месяцев)Рассчитано за последние 6 месяцев | 24.16% | 18.73% | +5.43% |
Волатильность (1 год)Рассчитано за последние 12 месяцев | 33.53% | 28.94% | +4.59% |
Волатильность (5 лет)Рассчитано за последние 5 лет, в годовом выражении | 37.14% | 39.12% | -1.98% |
Волатильность (10 лет)Рассчитано за последние 10 лет, в годовом выражении | 37.14% | 39.19% | -2.05% |