Сравнение VVSM.DE с HNSS.L
Здесь вы можете быстро сравнить и сопоставить основные факты о VanEck Semiconductor UCITS ETF (VVSM.DE) и HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L).
VVSM.DE и HNSS.L являются биржевыми фондами (ETF), то есть они торгуются на фондовых биржах и могут быть куплены и проданы в течение дня. VVSM.DE - это пассивный фонд от VanEck, который отслеживает доходность MVIS US Listed Semiconductor 10% Capped ESG Index. Фонд был запущен 1 дек. 2020 г.. HNSS.L - это пассивный фонд от HSBC, который отслеживает доходность MSCI World/Information Tech NR USD. Фонд был запущен 25 янв. 2022 г.. Оба фонда являются пассивными, то есть они не управляются активно, а лишь стараются максимально точно повторить доходность индекса, который они отслеживают.
Прокрутите вниз, чтобы наглядно сравнить доходность, рискованность, просадки и другие показатели и решить, что лучше подходит для вашего портфеля: VVSM.DE или HNSS.L.
Доходность
Сравнение доходности VVSM.DE и HNSS.L
Доходность по периодам
С начала года, VVSM.DE показывает доходность 26.38%, что значительно выше, чем у HNSS.L с доходностью 14.90%.
VVSM.DE
26.38%
-2.32%
-1.25%
38.44%
N/A
N/A
HNSS.L
14.90%
-3.52%
-6.49%
25.71%
N/A
N/A
Основные характеристики
| VVSM.DE | HNSS.L | |
|---|---|---|
| Коэф-т Шарпа | 1.24 | 0.52 |
| Коэф-т Сортино | 1.72 | 1.09 |
| Коэф-т Омега | 1.23 | 1.19 |
| Коэф-т Кальмара | 1.47 | 0.97 |
| Коэф-т Мартина | 3.75 | 2.10 |
| Индекс Язвы | 9.94% | 11.91% |
| Дневная вол-ть | 29.89% | 48.13% |
| Макс. просадка | -44.53% | -29.74% |
| Текущая просадка | -14.76% | -24.47% |
Сравнение акций, фондов или ETF
Ищите акции, ETF и фонды для быстрого сравнения или перейдите к инструменту сравнения для большего количества опций.
Сравнение комиссий VVSM.DE и HNSS.L
И VVSM.DE, и HNSS.L имеют комиссию равную 0.35%.
Корреляция
Корреляция между VVSM.DE и HNSS.L составляет 0.92 и считается высокой. Это указывает на сильную положительную связь между движениями цен активов.
Риск-скорректированная доходность
Сравнение VVSM.DE c HNSS.L - Риск-скорректированная доходность
В таблице представлено сравнение показателей доходности скорректированной на риск для VanEck Semiconductor UCITS ETF (VVSM.DE) и HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L). Риск-скорректированные показатели оценивают доходность инвестиций с учетом их рискованности, что позволяет более точно сравнивать различные активы между собой.
Дивиденды
Сравнение дивидендов VVSM.DE и HNSS.L
Ни VVSM.DE, ни HNSS.L не выплачивали дивиденды акционерам.
Просадки
Сравнение просадок VVSM.DE и HNSS.L
Максимальная просадка VVSM.DE за все время составила -44.53%, что больше максимальной просадки HNSS.L в -29.74%. Используйте график ниже для сравнения максимальных просадок VVSM.DE и HNSS.L. Больше опций вы сможете найти перейдя к инструменту просадок.
Волатильность
Сравнение волатильности VVSM.DE и HNSS.L
VanEck Semiconductor UCITS ETF (VVSM.DE) имеет более высокую волатильность в 8.00% по сравнению с HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) с волатильностью 7.09%. Это указывает на то, что VVSM.DE испытывает большие колебания цены и, как следствие, считается более рискованной по сравнению с HNSS.L. На приведенном ниже графике показано сравнение их месячной скользящей волатильности.