Сравнение VVSM.DE с HNSS.L
Здесь вы можете быстро сравнить и сопоставить основные факты о VanEck Semiconductor UCITS ETF (VVSM.DE) и HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L).
VVSM.DE и HNSS.L являются биржевыми фондами (ETF), то есть они торгуются на фондовых биржах и могут быть куплены и проданы в течение дня. VVSM.DE - это пассивный фонд от VanEck, который отслеживает доходность MVIS US Listed Semiconductor 10% Capped ESG Index. Фонд был запущен 1 дек. 2020 г.. HNSS.L - это пассивный фонд от HSBC, который отслеживает доходность MSCI World/Information Tech NR USD. Фонд был запущен 25 янв. 2022 г.. Оба фонда являются пассивными, то есть они не управляются активно, а лишь стараются максимально точно повторить доходность индекса, который они отслеживают.
Прокрутите вниз, чтобы наглядно сравнить доходность, рискованность, просадки и другие показатели и решить, что лучше подходит для вашего портфеля: VVSM.DE или HNSS.L.
Основные характеристики
| VVSM.DE | HNSS.L | |
|---|---|---|
| Дох-ть с нач. г. | 21.40% | 13.04% |
| Дох-ть за 1 год | 39.72% | 31.36% |
| Коэф-т Шарпа | 1.56 | 1.26 |
| Дневная вол-ть | 28.82% | 27.12% |
| Макс. просадка | -44.53% | -29.74% |
| Текущая просадка | -18.13% | -19.15% |
Корреляция
Корреляция между VVSM.DE и HNSS.L составляет 0.93 и считается высокой. Это указывает на сильную положительную связь между движениями цен активов.
Доходность
Сравнение доходности VVSM.DE и HNSS.L
С начала года, VVSM.DE показывает доходность 21.40%, что значительно выше, чем у HNSS.L с доходностью 13.04%. Ниже представлена диаграмма роста вложения $10,000 в оба актива, с поправкой цен на сплиты и дивиденды.
Сравнение акций, фондов или ETF
Ищите акции, ETF и фонды для быстрого сравнения или перейдите к инструменту сравнения для большего количества опций.
Сравнение комиссий VVSM.DE и HNSS.L
И VVSM.DE, и HNSS.L имеют комиссию равную 0.35%.
Риск-скорректированная доходность
Сравнение VVSM.DE c HNSS.L - Риск-скорректированная доходность
В таблице представлено сравнение показателей доходности скорректированной на риск для VanEck Semiconductor UCITS ETF (VVSM.DE) и HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L). Риск-скорректированные показатели оценивают доходность инвестиций с учетом их рискованности, что позволяет более точно сравнивать различные активы между собой.
Дивиденды
Сравнение дивидендов VVSM.DE и HNSS.L
Ни VVSM.DE, ни HNSS.L не выплачивали дивиденды акционерам.
Просадки
Сравнение просадок VVSM.DE и HNSS.L
Максимальная просадка VVSM.DE за все время составила -44.53%, что больше максимальной просадки HNSS.L в -29.74%. Используйте график ниже для сравнения максимальных просадок VVSM.DE и HNSS.L. Больше опций вы сможете найти перейдя к инструменту просадок.
Волатильность
Сравнение волатильности VVSM.DE и HNSS.L
VanEck Semiconductor UCITS ETF (VVSM.DE) имеет более высокую волатильность в 10.27% по сравнению с HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) с волатильностью 9.61%. Это указывает на то, что VVSM.DE испытывает большие колебания цены и, как следствие, считается более рискованной по сравнению с HNSS.L. На приведенном ниже графике показано сравнение их месячной скользящей волатильности.