Сравнение SEC0.DE с HNSS.L
Здесь вы можете быстро сравнить и сопоставить основные факты о iShares MSCI Global Semiconductors UCITS ETF USD (Acc) (SEC0.DE) и HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L).
SEC0.DE и HNSS.L являются биржевыми фондами (ETF), то есть они торгуются на фондовых биржах и могут быть куплены и проданы в течение дня. SEC0.DE - это пассивный фонд от iShares, который отслеживает доходность MSCI ACWI IMI Semiconductors & Semiconductor Equipment ESG Screened Select Capped. Фонд был запущен 5 авг. 2021 г.. HNSS.L - это пассивный фонд от HSBC, который отслеживает доходность MSCI World/Information Tech NR USD. Фонд был запущен 25 янв. 2022 г.. Оба фонда являются пассивными, то есть они не управляются активно, а лишь стараются максимально точно повторить доходность индекса, который они отслеживают.
Прокрутите вниз, чтобы наглядно сравнить доходность, рискованность, просадки и другие показатели и решить, что лучше подходит для вашего портфеля: SEC0.DE или HNSS.L.
Основные характеристики
| SEC0.DE | HNSS.L | |
|---|---|---|
| Дох-ть с нач. г. | 22.70% | 20.91% |
| Дох-ть за 1 год | 43.25% | 40.38% |
| Коэф-т Шарпа | 1.42 | 0.79 |
| Коэф-т Сортино | 1.89 | 1.42 |
| Коэф-т Омега | 1.26 | 1.26 |
| Коэф-т Кальмара | 1.56 | 1.47 |
| Коэф-т Мартина | 3.97 | 3.37 |
| Индекс Язвы | 9.93% | 11.29% |
| Дневная вол-ть | 27.56% | 47.99% |
| Макс. просадка | -36.91% | -29.74% |
| Текущая просадка | -12.66% | -20.52% |
Корреляция
Корреляция между SEC0.DE и HNSS.L составляет 0.95 и считается высокой. Это указывает на сильную положительную связь между движениями цен активов.
Доходность
Сравнение доходности SEC0.DE и HNSS.L
С начала года, SEC0.DE показывает доходность 22.70%, что значительно выше, чем у HNSS.L с доходностью 20.91%. Ниже представлена диаграмма роста вложения $10,000 в оба актива, с поправкой цен на сплиты и дивиденды.
Сравнение акций, фондов или ETF
Ищите акции, ETF и фонды для быстрого сравнения или перейдите к инструменту сравнения для большего количества опций.
Сравнение комиссий SEC0.DE и HNSS.L
И SEC0.DE, и HNSS.L имеют комиссию равную 0.35%.
Риск-скорректированная доходность
Сравнение SEC0.DE c HNSS.L - Риск-скорректированная доходность
В таблице представлено сравнение показателей доходности скорректированной на риск для iShares MSCI Global Semiconductors UCITS ETF USD (Acc) (SEC0.DE) и HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L). Риск-скорректированные показатели оценивают доходность инвестиций с учетом их рискованности, что позволяет более точно сравнивать различные активы между собой.
Дивиденды
Сравнение дивидендов SEC0.DE и HNSS.L
Ни SEC0.DE, ни HNSS.L не выплачивали дивиденды акционерам.
Просадки
Сравнение просадок SEC0.DE и HNSS.L
Максимальная просадка SEC0.DE за все время составила -36.91%, что больше максимальной просадки HNSS.L в -29.74%. Используйте график ниже для сравнения максимальных просадок SEC0.DE и HNSS.L. Больше опций вы сможете найти перейдя к инструменту просадок.
Волатильность
Сравнение волатильности SEC0.DE и HNSS.L
iShares MSCI Global Semiconductors UCITS ETF USD (Acc) (SEC0.DE) и HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF (HNSS.L) имеют волатильность 7.25% и 7.55% соответственно, что указывает на схожий уровень колебаний их цен. Это говорит о том, что риск волатильности, связанный с обеими акциями, практически одинаков. На приведенном ниже графике показано сравнение их месячной скользящей волатильности.